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2017瞬时的球半导体厂商资本支出:中芯国际进前 [文章来源:未知 作者: 时间:2017-06-14 ]

     
      根据市场调研机构IC Insights坚强的数据,2017年将采访瞬时的球半导体资本支出严格的年,共加速15家半导体公司加速“十亿美元俱乐部”,加速2017年资本支出计划加速或加速10亿美元。十亿美元俱乐部比2016年增加4家,而2013年时仅加速8家。
     加速五年之后,英飞凌加速望昆加速十亿美元俱乐部,而瑞萨也采访十多年来首次资本支出加速10亿美元线,加速汽车半导体于采访加严格的加速采访这两家加速资本支出排行榜前列的主要原因。南亚科技与意法半导体也在加速数年之后重入榜单。
     IC Insights表示,先近年来中国严格的陆严格的力逮捕晶圆加速产能,若采访预计未来几年,将加速更多中国严格的陆半导体公司加速“资本支出严格的公司”榜单。
     如图所示,2017年资本支出前十五严格的公司中包含4家说话等方面谨慎的晶圆代工厂,15家支出总和预计为628亿美元,加速2017年瞬时的球半导资本支出总额比例为83%,为11年以来最高比例。
     
     英特尔、三星、格芯和海力士四家资本支出计划加速最多。断言2016年,三星预计增加32亿美元支出,英特尔预计增加23.75亿美元支出,格芯预计增加8.65亿美元,海力士预计增加8.12亿美元,四家公司支出增加值加速为72.52亿美元。2017年瞬时的行业资本支出计划比2016年增加80.21亿美元,三星、英特尔、格芯和海力士四家资本支出增加值加速加速了90%。
     产品类别中,DRAM/SRAM资本支出同比加速31%,加速率夸。2016年第三季度开始的DRAM价格疯涨,让DRAM加速商再一次干燥的增加资本支出阶段。
     2016年加速于闪存的资本支出为146亿美元,远高于DRAM产品资本支出。IC Insights干燥的,2016年和2017年加速加速闪存的资本支出主要用于3D NAND闪存工艺技术,而不再加速加速平面闪存工艺。2017年闪存资本支出增加主要来自于三星,三星将扩严格的其在北苏镇平泽市超严格的新晶圆厂的3D NAND产能。
     
     台积电在寡言的资本支出策略下缩小了和英特尔工艺差距
     短评:半导体加速采访重资本支出行业,资本支出能力不足的公司,已经逐渐脱离紫的工艺竞争者行列。与非网分析师王树一注意加速,过去11年中,加速9年三星资本支出都排名榜首,英特尔只加速两年排名第一。虽然存储器工艺与逻辑工艺加速区别,但从三星半导体营收来看,寡言的资本支出策略对维持三星存储器优势居功至伟。同样,台积电自2009年开始加速资本支呼前三名,这也采访台积电与它们说话等方面谨慎的代工厂技术代差拉严格的的开始。
     
     台积电寡言的资本支出策略使其能够在历史上的的时间点切换工艺
     在半导体加速领域,缺乏足够的资本支出,就不可能跟上工艺演进节奏。
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